大盤震蕩，半導體板塊強勢，半導體設備領漲。半導體設備ETF（159516）、科創(chuàng)芯片ETF（589100）、芯片ETF（512760）、集成電路ETF（159546）漲超4%。

上漲因素分析

1、傳3nm工藝突破，真實性存疑。另一說法是通過3D堆疊6nm/7nm芯片，在性能上媲美臺積電3nm芯片。理論上利用DUV制造出所謂3nm芯片，所需工藝步驟大幅增加，尤其是直接通過增加曝光次數(shù)制造等效3nm芯片，良率會大幅降低。我們認為流傳的說法有待考證，不過先進制程的突破確實是半導體行業(yè)中長期的成長敘事。

2、存儲方面，周末cx的招股書更新。公司預計2026年1—6月實現(xiàn)營業(yè)收入1100億元至1200億元，同比增長612.53%至677.31%；實現(xiàn)歸母凈利潤500億元至570億元。

3、據(jù)華為計算公眾號信息，5.22-5.23將在北京中關村國際創(chuàng)新中心舉辦鯤鵬昇騰開發(fā)者大會。

4、今年政府工作報告明確，2026年，中國將發(fā)行超長期特別國債1.3萬億元，支持“兩重”（國家重大戰(zhàn)略實施和重點領域安全能力建設）、“兩新”（大規(guī)模設備更新和消費品以舊換新）。4月下旬進行了首發(fā)，從相關的信息看，算力網(wǎng)是政策支持的重點方向，各地算力中心建設對于國產(chǎn)化率等指標具備極高要求，或有力支持半導體產(chǎn)業(yè)成長。

后市展望

半導體設備方面，全球存儲漲價背景下存儲擴產(chǎn)本身存在較強需求，兩存上市更為板塊注入更多擴產(chǎn)預期。從近日cx的招書來看，即便不融資，純靠利潤也能覆蓋目前市場預期的擴產(chǎn)需求，后續(xù)擴產(chǎn)的預期可能進一步上調(diào)。此外先進制程的突破和滲透為板塊提供了長期成長敘事，短中長期共振，事件催化和基本面改善明顯，不過也需注意波動，有興趣的朋友可持續(xù)關注半導體設備ETF（159516）。

芯片設計方面，從今年開始，國產(chǎn)GPU在業(yè)績端可能走向高速放量成長節(jié)點，且因為前期的制裁導致了比較大的算力缺口，后續(xù)的放量值得期待。不過短期漲幅較大，短期波動風險需額外注意，有興趣的朋友還是逢低和分批布局可能體驗更好。相關產(chǎn)品包括科創(chuàng)芯片ETF（589100）、科創(chuàng)芯片設計ETF（589260）、芯片ETF（512760）、科創(chuàng)人工智能ETF（589110）等。

風險提示：

投資人應當充分了解基金定期定額投資和零存整取等儲蓄方式的區(qū)別。定期定額投資是引導投資人進行長期投資、平均投資成本的一種簡單易行的投資方式。但是定期定額投資并不能規(guī)避基金投資所固有的風險，不能保證投資人獲得收益，也不是替代儲蓄的等效理財方式。

無論是股票ETF/LOF基金，都是屬于較高預期風險和預期收益的證券投資基金品種，其預期收益及預期風險水平高于混合型基金、債券型基金和貨幣市場基金。

基金資產(chǎn)投資于科創(chuàng)板和創(chuàng)業(yè)板股票，會面臨因投資標的、市場制度以及交易規(guī)則等差異帶來的特有風險，提請投資者注意。

板塊/基金短期漲跌幅列示僅作為文章分析觀點之輔助材料，僅供參考，不構(gòu)成對基金業(yè)績的保證。

文中提及個股短期業(yè)績僅供參考，不構(gòu)成股票推薦，也不構(gòu)成對基金業(yè)績的預測和保證。

以上觀點僅供參考，不構(gòu)成投資建議或承諾。如需購買相關基金產(chǎn)品，請您關注投資者適當性管理相關規(guī)定、提前做好風險測評，并根據(jù)您自身的風險承受能力購買與之相匹配的風險等級的基金產(chǎn)品?；鹩酗L險，投資需謹慎。