5月20日，科創(chuàng)芯片ETF國泰（589100）盤中走高2.5%，AI賦能產業(yè)升級，國產芯片發(fā)展?jié)摿κ恪?/p>

愛建證券指出，從行業(yè)維度看，DRAM正處于AI驅動的新一輪超級景氣周期。存儲芯片巨頭上市進程加快，行業(yè)擴產需求旺盛，AI熱潮帶動先進封裝賽道快速成長，產業(yè)鏈整體向好。受AI訓練、AI推理、高性能計算及HBM需求爆發(fā)驅動，全球DRAM市場規(guī)模預計將從2025年的約1505億美元增長至2030年的5710億美元，期間復合增長率達到30.56%。AI驅動下全球DRAM行業(yè)進入新一輪擴產與技術升級周期，產能擴張是中國DRAM廠商未來成長的核心驅動力。當前海外三大原廠持續(xù)加大HBM產能投入，傳統(tǒng)通用型DRAM供給階段性收縮，國內廠商憑借擴產節(jié)奏及產品迭代，加速DDR5、LPDDR5等高端產品導入，持續(xù)承接結構性供需缺口。隨著先進制程持續(xù)推進及高端產品占比提升，國內DRAM產業(yè)鏈資本開支景氣度有望持續(xù)上行。

科創(chuàng)芯片ETF國泰（589100）跟蹤的是科創(chuàng)芯片指數（000685），單日漲跌幅限制達20%，該指數從科創(chuàng)板市場中選取不超過50家涉及半導體材料、設備、設計、制造、封裝與測試等全產業(yè)鏈環(huán)節(jié)的上市公司證券作為指數樣本，以反映中國芯片產業(yè)相關上市公司證券的整體表現。

風險提示：提及個股僅用于行業(yè)事件分析，不構成任何個股推薦或投資建議。指數等短期漲跌僅供參考，不代表其未來表現，亦不構成對基金業(yè)績的承諾或保證。觀點可能隨市場環(huán)境變化而調整，不構成投資建議或承諾。提及基金風險收益特征各不相同，敬請投資者仔細閱讀基金法律文件，充分了解產品要素、風險等級及收益分配原則，選擇與自身風險承受能力匹配的產品，謹慎投資。涉及基金費率請查閱法律文件。