2026-06-12 19:30:00
每經(jīng)AI快訊，6月12日從湖北江城實驗室了解到，該實驗室近期在電容關(guān)鍵技術(shù)上取得重大突破，成功研制出三維多層片上電容，電容密度突破每平方毫米1000納法。該電容可直接應(yīng)用于AI/GPU芯片、高性能處理器等高端芯片，支撐高算力、低功耗芯片研發(fā)。目前，相關(guān)技術(shù)正在開展工藝流片及小批量試產(chǎn)，將在先進(jìn)封裝領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。（上證報）
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