2026-06-05 07:26:30
每經AI快訊，隨著半導體芯片變得越來越薄，芯片內部各組成部分也在追求極限超薄化。然而，這帶來了一個結構性限制，即器件越薄，越難導電。為破解這一難題，韓國浦項科技大學研究團隊重新設計了超薄碲晶體管的金屬—半導體接觸結構，開發(fā)出一種大幅降低接觸電阻的新技術。通過僅對與電極接觸的關鍵區(qū)域進行局部增厚，他們將器件接觸電阻降低至原有水平的1/50，并顯著提升了低溫性能。相關成果發(fā)表于新一期美國化學會《ACS Nano》雜志。（科技日報）
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