截至6月1日收盤，滬指跌0.27%，報收4057.74點；深成指跌1.51%，報收15340.36點；創(chuàng)業(yè)板指跌2.15%，報收3950.94點。科創(chuàng)半導體ETF華夏（588170）下跌5.68%，半導體設備ETF華夏（562590）下跌5.70%

隔夜外盤：截至收盤，道瓊斯工業(yè)平均指數(shù)漲0.09%；納斯達克綜合指數(shù)漲0.42%；標準普爾500種股票指數(shù)漲0.26%。費城半導體指數(shù)漲1.06%，恩智浦半導體跌3.10%，美光科技漲6.64%，ARM漲15.73%，應用材料漲1.80%，微芯科技跌3.31%。

行業(yè)資訊：

1、北京時間6月1日11:00，英偉達創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛將在中國臺北流行音樂中心發(fā)表英偉達GTC臺北2026主題演講。黃仁勛表示，今年秋季起，戴爾、聯(lián)想等主流PC品牌將陸續(xù)推出搭載RTX Spark超級芯片的筆記本及臺式機。這款由英偉達聯(lián)合聯(lián)發(fā)科共同研發(fā)的產(chǎn)品，集成了處理器與顯卡，可運行微軟Arm架構版Windows系統(tǒng)。

2、美國伊利諾伊大學厄巴納—香檳分校研究團隊攻破了三維芯片制造領域“最后堡壘”，他們開發(fā)出一種在嚴格熱預算限制下，實現(xiàn)多層高性能單晶硅電路垂直集成的工藝。這項突破解決了因晶體管微縮趨近物理極限而面臨的芯片性能提升難題，為延續(xù)摩爾定律提供了新方向。相關研究成果發(fā)表于最新一期《自然》雜志。

3、首屆集微存儲論壇在上海張江舉行。與會嘉賓認為，2025年至2027年供需比整體處于供不應求狀態(tài)，存儲芯片漲價趨勢有望持續(xù)，2027年或成為觀察價格趨勢的轉(zhuǎn)折之年。AI算力增長由云端訓練加速轉(zhuǎn)向端側(cè)推理，為具有低功耗、快速響應優(yōu)勢的利基型存儲（包括小容量DDR3/DDR4、NOR Flash、SLC NAND、EEPROM等）帶來新機遇。疊加三星、SK海力士等國際巨頭紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高毛利的HBM（高帶寬存儲）等產(chǎn)品，相關國產(chǎn)芯片公司有望迎來新增長。

華泰證券表示，感光干膜作為PCB制造的關鍵材料，有望伴隨下游景氣持續(xù)增長，AI等領域進一步帶動高端干膜需求。當前感光干膜國產(chǎn)化率較低，伴隨內(nèi)資企業(yè)加速高端領域技術突破與產(chǎn)能擴張以及政策端支持，國產(chǎn)化率未來有望提高，行業(yè)頭部企業(yè)有望受益。