每經(jīng)記者｜朱成祥    每經(jīng)編輯｜魏文藝    

在芯片幾乎全行業(yè)都處于需求上升之際，被視為第三代半導(dǎo)體的碳化硅卻是另外一番風(fēng)景——無論是海外大廠Wolfspeed，還是國內(nèi)碳化硅大廠天岳先進(jìn)，其業(yè)績表現(xiàn)均不佳。

在此背景下，碳化硅行業(yè)盯上了當(dāng)下最熱門的賽道：先進(jìn)封裝，特別是2.5D先進(jìn)封裝。近期，A股碳化硅概念持續(xù)火熱，天岳先進(jìn)、露笑科技一度受到投資者熱捧。

天岳先進(jìn)此前曾表示，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，依托碳化硅高導(dǎo)熱、低翹曲的特性，布局高端散熱中介層相關(guān)產(chǎn)品開發(fā)。

然而，蓉和半導(dǎo)體咨詢CEO吳梓豪告訴《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者（以下簡稱“每經(jīng)記者”）：“臺積電兩年前的2.5D封裝，使用硅中介層，但如今已經(jīng)使用有機(jī)材料，即環(huán)氧樹脂。”

也就是說，碳化硅替代硅應(yīng)用在中介層的邏輯并不成立，因?yàn)橹薪閷右呀?jīng)改用環(huán)氧樹脂材料了。

量增價(jià)跌，中外碳化硅大廠齊陷虧損泥潭

2025財(cái)年，Wolfspeed營業(yè)收入7.58億美元，同比下降6%；歸母凈利潤虧損16.09億美元，相比上年虧損擴(kuò)大。

國內(nèi)碳化硅廠商同樣業(yè)績不佳。天岳先進(jìn)2025年?duì)I收14.65億元，同比下降17.15%；歸母凈利潤虧損2.08億元，由盈轉(zhuǎn)虧。

對于上述業(yè)績表現(xiàn)，天岳先進(jìn)表示，主要原因系碳化硅襯底產(chǎn)品平均價(jià)格下降導(dǎo)致營收及毛利下滑，疊加銷售、研發(fā)費(fèi)用同比上升，以及所得稅費(fèi)用和滯納金支出增加等因素。

天岳先進(jìn)進(jìn)一步表示，公司碳化硅襯底產(chǎn)品銷量實(shí)現(xiàn)顯著增長，市場需求呈現(xiàn)積極釋放態(tài)勢，產(chǎn)銷銜接效率有效提升，銷量增速高于生產(chǎn)量增速，反映出下游應(yīng)用場景的持續(xù)拓展與滲透率提升。然而，受宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境變化、行業(yè)供需關(guān)系動(dòng)態(tài)調(diào)整及產(chǎn)業(yè)階段性因素影響，疊加公司為擴(kuò)大市場占有率、鞏固行業(yè)地位而實(shí)施的主動(dòng)市場滲透策略，產(chǎn)品平均銷售價(jià)格階段性下調(diào)。

2025年，天岳先進(jìn)碳化硅襯底生產(chǎn)量69.04萬片，同比增長68.31%；銷售量63.33萬片，同比增長75.33%。

天岳先進(jìn)2025年年度報(bào)告

在生產(chǎn)量和銷量均快速增長的同時(shí)，營業(yè)收入?yún)s反而下降，由此可見碳化硅襯底行業(yè)的競爭何等激烈。

在此背景下，天岳先進(jìn)表示，盡管價(jià)格調(diào)整對短期營收規(guī)模形成階段性壓力，導(dǎo)致整體收入同比出現(xiàn)下滑，但公司準(zhǔn)確把握市場機(jī)遇，通過優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和積極拓展高景氣應(yīng)用領(lǐng)域，有效擴(kuò)大了市場份額，夯實(shí)了行業(yè)地位。同時(shí)，公司持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級，深化高景氣賽道布局，為后續(xù)增長奠定基礎(chǔ)。

從中介層到散熱貼片，碳化硅的AI賽道真相

碳化硅襯底主要分為半絕緣型和導(dǎo)電型。半絕緣型主要用于制造氮化鎵外延，用于射頻、快充等領(lǐng)域；導(dǎo)電型主要用于制造碳化硅外延，用于功率MOSFET（金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）等器件生產(chǎn)。

那么，天岳先進(jìn)所指的高景氣賽道又是什么呢？

天岳先進(jìn)表示，公司于2025年7月與舜宇?yuàn)W來微納光學(xué)（上海）有限公司達(dá)成戰(zhàn)略合作，雙方將整合碳化硅材料與光學(xué)技術(shù)優(yōu)勢，推動(dòng)碳化硅襯底材料在光學(xué)領(lǐng)域應(yīng)用，開拓新的藍(lán)海市場。

在AI數(shù)據(jù)中心供電方案中，公司配合全球頭部功率器件廠商，就下一代電源管理芯片的研發(fā)展開密切合作。

在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，天岳先進(jìn)配合全球頭部客戶推進(jìn)SiC（碳化硅）的應(yīng)用突破。同時(shí)，在芯片散熱方向，公司目前已成功將半絕緣碳化硅襯底應(yīng)用于高功率激光器芯片的散熱層，并已形成批量出貨，驗(yàn)證了碳化硅散熱在產(chǎn)業(yè)端規(guī)?；瘧?yīng)用的可行性。

其中，與AI產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)，主要是AI數(shù)據(jù)中心電源以及先進(jìn)封裝。尤其是先進(jìn)封裝，正是半導(dǎo)體行業(yè)最受矚目的賽道。

無論是HBM（高帶寬內(nèi)存）還是2.5D封裝，均離不開Interposer（中介層）。隨著摩爾定律慢慢走向終結(jié)，當(dāng)下芯片發(fā)展的方向不僅僅是微縮，還需要走向立體空間，即2.5D和3D先進(jìn)封裝。而這兩種封裝方式中，中介層起到至關(guān)重要的作用。

此輪碳化硅炒作熱點(diǎn)，很大程度上便是碳化硅在中介層的應(yīng)用潛力。相比硅，碳化硅的散熱性能要更好。

吳梓豪向每經(jīng)記者表示：“現(xiàn)在中介層不承擔(dān)散熱的作用。CoWoS-S（硅中介層2.5D先進(jìn)封裝）時(shí)代，中介層使用硅。早在兩年前，臺積電就已經(jīng)進(jìn)入CoWoS-L（局部硅互連與再布線混合型2.5D先進(jìn)封裝）時(shí)代，中介層使用環(huán)氧樹脂，這種有機(jī)材料不承擔(dān)散熱作用。”

“CoWoS-L的散熱，需要靠液冷，與中介層沒有關(guān)系。而CoWoS-L的下一代是CoPoS（芯片—面板—基板封裝），這種技術(shù)使用的是玻璃基板，與碳化硅也沒有關(guān)系?！眳氰骱姥a(bǔ)充道。

簡而言之，碳化硅替代的是上一代CoWoS-S的硅中介層。當(dāng)下主流CoWoS-L和下一代CoPoS，均不會(huì)使用碳化硅作為中介層。即碳化硅確實(shí)比硅散熱性能好，但當(dāng)下技術(shù)并不使用中介層散熱，而下一代技術(shù)直接使用玻璃基板。

那么，臺積電使用碳化硅的傳言，又是如何流傳的呢？吳梓豪解釋稱：“今年1月份，臺積電測試碳化硅、金剛石。因此，中國臺灣市場開始傳碳化硅（的消息）。不過，臺積電是測試碳化硅、金剛石作為散熱貼片，而不是做Interposer。然而，臺積電最后散熱貼片的選擇還是金剛石，而非碳化硅?！?/p>

碳化硅襯底在未來AIDC（人工智能數(shù)據(jù)中心）、散熱材料領(lǐng)域擁有較大的發(fā)展?jié)摿?，而不是“?dāng)紅炸子雞”先進(jìn)封裝。

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