今日半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）延續(xù)強(qiáng)勢(shì)，盤中漲超5%。

資料來源：Wind

【上漲因素分析】

1、大盤環(huán)境良好，上證破十年新高。今日上證指數(shù)強(qiáng)勢(shì)，突破前高，再創(chuàng)十年新高。美股這邊表現(xiàn)也不錯(cuò)。標(biāo)普500指數(shù)昨日夜間上漲0.64%，納斯達(dá)克指數(shù)上漲0.69%。

2、直接推動(dòng)是存儲(chǔ)的強(qiáng)勢(shì)。據(jù)Trendforce最新消息，近期對(duì)2026年第一季度存儲(chǔ)合約價(jià)預(yù)期大幅度上修，預(yù)估2026Q1 DRAM、NAND合約價(jià)分別上漲55%~60%、33%~38%。此外，據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)，三星與海力士已向服務(wù)器、PC及智能手機(jī)用DRAM客戶提出漲價(jià)，今年一季度報(bào)價(jià)將較去年第四季度上漲60%~70%。

存儲(chǔ)漲價(jià)最直接的影響是帶來存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)的預(yù)期。從目前A股存儲(chǔ)的投資看，由于缺乏原廠的標(biāo)的，所以存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)帶來的半導(dǎo)體設(shè)備環(huán)節(jié)就會(huì)顯得比較性感。2025年12月30日晚間，CXKJ披露招股書，籌劃加上自有資金共計(jì)345億元人民幣，擬投資于存儲(chǔ)晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目、DRAM存儲(chǔ)器技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前瞻技術(shù)研究與開發(fā)項(xiàng)目。昨日某龍頭廠商復(fù)牌之后，帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備板塊情緒上漲。

3、深層邏輯是國(guó)產(chǎn)替代和需求爆發(fā)的共振。據(jù)浙商證券故居，2024年我國(guó)ALD、光刻、量測(cè)檢測(cè)、離子注入、涂膠顯影等環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化率極低，在10%左右?？涛g、CVD、CMP、熱處理等環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化率較低，位于10%至30%之間。

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【后市展望：“存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)+先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)”雙重推動(dòng)，半導(dǎo)體設(shè)備ETF具備【催化明確+估值較低】?jī)纱髢?yōu)勢(shì)】

這一輪存儲(chǔ)甚至半導(dǎo)體設(shè)備的敘事不同于以往的周期復(fù)蘇或國(guó)產(chǎn)替代，而是實(shí)打?qū)嵉氖芤嬗谌駻I驅(qū)動(dòng)的高景氣。無論是AI算力所需的先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)，還是AI存力推動(dòng)的存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備都是突破產(chǎn)能瓶頸的核心環(huán)節(jié)。

估值方面，截至1月5日，半導(dǎo)體設(shè)備ETF標(biāo)的指數(shù)PETTM為91.47x，位于上市以來75.56%分位，估值分位低于現(xiàn)在主流的其他半導(dǎo)體指數(shù)。不過提示一下，伴隨漲幅累計(jì)，還是要開始注意回調(diào)風(fēng)險(xiǎn)了。

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風(fēng)險(xiǎn)提示：提及個(gè)股僅用于行業(yè)事件分析，不構(gòu)成任何個(gè)股推薦或投資建議。指數(shù)等短期漲跌僅供參考，不代表其未來表現(xiàn)，亦不構(gòu)成對(duì)基金業(yè)績(jī)的承諾或保證。觀點(diǎn)可能隨市場(chǎng)環(huán)境變化而調(diào)整，不構(gòu)成投資建議或承諾。提及基金風(fēng)險(xiǎn)收益特征各不相同，敬請(qǐng)投資者仔細(xì)閱讀基金法律文件，充分了解產(chǎn)品要素、風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)及收益分配原則，選擇與自身風(fēng)險(xiǎn)承受能力匹配的產(chǎn)品，謹(jǐn)慎投資。