今日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈強(qiáng)勢(shì)反彈，半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）漲超3.5%，盤中成交額持續(xù)放大。

在AI算力需求爆發(fā)與全球半導(dǎo)體周期回升的共振下，半導(dǎo)體設(shè)備正迎來(lái)高度確定的景氣上行期。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2025年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額已達(dá)1351億美元，連續(xù)三年創(chuàng)歷史新高，且2026年與2027年的預(yù)期被進(jìn)一步上調(diào)，行業(yè)連續(xù)增長(zhǎng)已成定局。同時(shí)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備的業(yè)績(jī)兌現(xiàn)也在加速落地，國(guó)家統(tǒng)計(jì)局顯示，2026年1至2月規(guī)模以上高技術(shù)制造業(yè)利潤(rùn)同比增長(zhǎng)58.7%，其中半導(dǎo)體分立器件制造利潤(rùn)增幅高達(dá)130.5%。

當(dāng)前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備已從早期的政策驅(qū)動(dòng)，全面轉(zhuǎn)向內(nèi)生的技術(shù)驅(qū)動(dòng)。國(guó)產(chǎn)廠商在刻蝕、薄膜沉積、先進(jìn)封裝等關(guān)鍵核心環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)突破，刻蝕設(shè)備替代率約28%、薄膜沉積約20%，正從單點(diǎn)突破向系統(tǒng)化能力構(gòu)建轉(zhuǎn)型，替代率穩(wěn)步提升。并且隨著中日關(guān)系趨冷，半導(dǎo)體領(lǐng)域的“去日化”進(jìn)程顯著提速，這為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備及材料公司帶來(lái)了可觀的替代增量與市場(chǎng)增益。

AI帶來(lái)的存儲(chǔ)需求放量，正強(qiáng)力推動(dòng)存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)預(yù)期，而近期“兩存”上市預(yù)期的加強(qiáng)進(jìn)一步明確了設(shè)備端的增量需求。在業(yè)績(jī)清晰、訂單回升的同時(shí)，設(shè)備板塊短期積累的漲幅相對(duì)有限，當(dāng)下的安全邊際較高。對(duì)于看好中國(guó)半導(dǎo)體底層技術(shù)突破且尋求均衡布局的投資者，可通過(guò)半導(dǎo)體設(shè)備板塊適當(dāng)關(guān)注與配置。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，聚焦半導(dǎo)體上游設(shè)備和材料，感興趣的投資者可以關(guān)注相關(guān)布局機(jī)會(huì)。

注：指數(shù)/基金短期漲跌幅及歷史表現(xiàn)僅供分析參考，不預(yù)示未來(lái)表現(xiàn)。市場(chǎng)觀點(diǎn)隨市場(chǎng)環(huán)境變化而變動(dòng)，不構(gòu)成任何投資建議或承諾。文中提及指數(shù)僅供參考，不構(gòu)成任何投資建議，也不構(gòu)成對(duì)基金業(yè)績(jī)的預(yù)測(cè)和保證。如需購(gòu)買相關(guān)基金產(chǎn)品，請(qǐng)選擇與風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)相匹配的產(chǎn)品?；鹩酗L(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。